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HLC021R2BTTR

HLC021R2BTTR

KYOCERA AVX

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.2NH 751MA 110 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.2 nH
Nennstrom
751 mA
DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HLC021R2BTTR.

Induktivität
1.2 nH

HLC021R2BTTR hat eine Induktivität von 1.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
751 mA

HLC021R2BTTR ist für 751 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
110mOhm Max

HLC021R2BTTR hat einen DC-Widerstand von 110mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HLC021R2BTTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität1.2 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom751 mA
DC-Widerstand (DCR)110mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 1.2NH 751MA 110 MOHM
SerieMLO™
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz24 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz20GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.018 (0.45mm)
Merkmale-

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