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HLQ021R0BTTR

HLQ021R0BTTR

KYOCERA AVX

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1NH 330MA 100 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 nH
Nennstrom
330 mA
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HLQ021R0BTTR.

Induktivität
1 nH

HLQ021R0BTTR hat eine Induktivität von 1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
330 mA

HLQ021R0BTTR ist für 330 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

HLQ021R0BTTR hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HLQ021R0BTTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität1 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom330 mA
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 1NH 330MA 100 MOHM SMD
SerieMLO™
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz17 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz7GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.018 (0.45mm)
Merkmale-

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