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HPC 201610BMV-2R2M

HPC 201610BMV-2R2M

TAI-TECH

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.9A 168 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.9 A
DC-Widerstand (DCR)
168mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 201610BMV-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

HPC 201610BMV-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.9 A

HPC 201610BMV-2R2M ist für 1.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
168mOhm Max

HPC 201610BMV-2R2M hat einen DC-Widerstand von 168mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

HPC 201610BMV-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.9 A
DC-Widerstand (DCR)168mOhm Max
Sättigungsstrom1.1A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.9A 168 MOHM
SerieHPC-BMV/NV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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