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HPC 252008MF-2R2M

HPC 252008MF-2R2M

TAI-TECH

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HPC 252008MF-2R2M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 950 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 250mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
950 mA
DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 252008MF-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

HPC 252008MF-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
950 mA

HPC 252008MF-2R2M ist für 950 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max

HPC 252008MF-2R2M hat einen DC-Widerstand von 250mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

HPC 252008MF-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom950 mA
DC-Widerstand (DCR)250mOhm Max
Sättigungsstrom1.4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 950MA 250 MOHM
SerieHPC252008MF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.031" (0.80mm)

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