Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HPC 5020NV-4R7M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 2.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm, Gehäusegröße 2020 (5050 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HPC 5020NV-4R7M.
HPC 5020NV-4R7M hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HPC 5020NV-4R7M ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HPC 5020NV-4R7M hat einen DC-Widerstand von 60mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HPC 5020NV-4R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2020 (5050 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm |
| Sättigungsstrom | 2.3A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 2020 (5050 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 2020 (5050 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 4.7UH 2.1A 60 MOHM SMD |
| Serie | HPC-BMV/NV |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 5020 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
