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IDC2512ER1R0M

IDC2512ER1R0M

Vishay Dale

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IDC2512ER1R0M von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
2.9 A
DC-Widerstand (DCR)
50mOhm Max
Abmessungen
0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IDC2512ER1R0M.

Induktivität
1 µH

IDC2512ER1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.9 A

IDC2512ER1R0M ist für 2.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
50mOhm Max

IDC2512ER1R0M hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.9 A
DC-Widerstand (DCR)50mOhm Max
Sättigungsstrom2.9A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.9A 50 MOHM SMD
SerieIDC-2512
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.115" (2.92mm)

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