Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IHLE2525CDER2R2M51 von Vishay Dale. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 8.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 18.3mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard, 4 Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IHLE2525CDER2R2M51.
IHLE2525CDER2R2M51 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IHLE2525CDER2R2M51 ist für 8.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IHLE2525CDER2R2M51 hat einen DC-Widerstand von 18.3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IHLE2525CDER2R2M51 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 4 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 8.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 18.3mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 10.8A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.284" L x 0.280" W (7.21mm x 7.12mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard, 4 Lead |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard, 4 Lead |
| Lieferant | Vishay Dale |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 8.1A 18.3 MOHM |
| Serie | IHLE-2525CD-51 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 31.2MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | Nonstandard, 4 Lead |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.132" (3.35mm) |
