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MAF06032R2M-1A

MAF06032R2M-1A

Laird

Nonstandard, 4 Lead
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 10.5A 14 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
10.5 A
DC-Widerstand (DCR)
14mOhm Max
Abmessungen
0.303 L x 0.280 W (7.70mm x 7.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MAF06032R2M-1A.

Induktivität
2.2 µH

MAF06032R2M-1A hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
10.5 A

MAF06032R2M-1A ist für 10.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14mOhm Max

MAF06032R2M-1A hat einen DC-Widerstand von 14mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard, 4 Lead

MAF06032R2M-1A verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 4 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom10.5 A
DC-Widerstand (DCR)14mOhm Max
Sättigungsstrom14A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.303 L x 0.280 W (7.70mm x 7.10mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard, 4 Lead
Gehäuse / AusführungNonstandard, 4 Lead
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 10.5A 14 MOHM
SerieMAF06
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialMetal Composite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.134 (3.40mm)
Merkmale-

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