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IMC1210SYR56J

IMC1210SYR56J

Vishay Dale

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 560NH 450MA 550 MOHM

Technische Daten

Induktivität
560 nH
Nennstrom
450 mA
DC-Widerstand (DCR)
550mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IMC1210SYR56J.

Induktivität
560 nH

IMC1210SYR56J hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
450 mA

IMC1210SYR56J ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
550mOhm Max

IMC1210SYR56J hat einen DC-Widerstand von 550mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

IMC1210SYR56J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 13.6.2026
Induktivität560 nH
Toleranz±5%
Nennstrom450 mA
DC-Widerstand (DCR)550mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantVishay Dale
BeschreibungFIXED IND 560NH 450MA 550 MOHM
SerieIMC-1210
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 25.2MHz
Eigenresonanzfrequenz180MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.095" (2.41mm)
Merkmale-

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