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MGTC1210CR56_ST

MGTC1210CR56_ST

Microgate Technology

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1210CR56_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 460 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.1Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
560 nH
Nennstrom
460 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max
Abmessungen
0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1210CR56_ST.

Induktivität
560 nH

MGTC1210CR56_ST hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
460 mA

MGTC1210CR56_ST ist für 460 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max

MGTC1210CR56_ST hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

MGTC1210CR56_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität560 nH
Nennstrom460 mA
DC-Widerstand (DCR)1.1Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 560 NH 460 MA 1.1 OHM
SerieMGTC1210C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 150MHz
Eigenresonanzfrequenz420MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106 (2.70mm)

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