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IWC0402D33NR-3G

IWC0402D33NR-3G

Laird

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 33NH 400MA 450 MOHM

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
400 mA
DC-Widerstand (DCR)
450mOhm Max
Abmessungen
0.047 L x 0.028 W (1.19mm x 0.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC0402D33NR-3G.

Induktivität
33 nH

IWC0402D33NR-3G hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
400 mA

IWC0402D33NR-3G ist für 400 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
450mOhm Max

IWC0402D33NR-3G hat einen DC-Widerstand von 450mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

IWC0402D33NR-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±2%
Nennstrom400 mA
DC-Widerstand (DCR)450mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047 L x 0.028 W (1.19mm x 0.70mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 33NH 400MA 450 MOHM
SerieIWC0402
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz24 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz2.35GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse402
Höhe - sitzend (max.)0.026 (0.66mm)
Merkmale-

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