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CTTF0402F-33NJ

CTTF0402F-33NJ

Central Technologies

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 33NH 75MA 2.5 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
75 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.5Ohm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTTF0402F-33NJ.

Induktivität
33 nH

CTTF0402F-33NJ hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
75 mA

CTTF0402F-33NJ ist für 75 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.5Ohm Max

CTTF0402F-33NJ hat einen DC-Widerstand von 2.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CTTF0402F-33NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±5%
Nennstrom75 mA
DC-Widerstand (DCR)2.5Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 33NH 75MA 2.5 OHM SMD
SerieCTTF0402F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz13 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz3.75GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.016 (0.40mm)
Merkmale-

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