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IWC1008FR12R-3G

IWC1008FR12R-3G

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 650MA 630 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
630mOhm Max
Abmessungen
0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IWC1008FR12R-3G.

Induktivität
120 nH

IWC1008FR12R-3G hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

IWC1008FR12R-3G ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
630mOhm Max

IWC1008FR12R-3G hat einen DC-Widerstand von 630mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

IWC1008FR12R-3G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±2%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)630mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.115 L x 0.106 W (2.92mm x 2.70mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 120NH 650MA 630 MOHM
SerieIWC1008
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 350MHz
Eigenresonanzfrequenz950MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.088 (2.23mm)
Merkmale-

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