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CTMC1008F-R12J

CTMC1008F-R12J

Central Technologies

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120NH 550MA 300 MOHM

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
550 mA
DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1008F-R12J.

Induktivität
120 nH

CTMC1008F-R12J hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
550 mA

CTMC1008F-R12J ist für 550 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max

CTMC1008F-R12J hat einen DC-Widerstand von 300mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

CTMC1008F-R12J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±5%
Nennstrom550 mA
DC-Widerstand (DCR)300mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-45°C ~ 85°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120NH 550MA 300 MOHM
SerieCTMC1008F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 25.2MHz
Eigenresonanzfrequenz700MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.075 (1.90mm)
Merkmale-

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