Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L0805C2R2MDWIT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 640 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 330mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0805C2R2MDWIT.
L0805C2R2MDWIT hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L0805C2R2MDWIT ist für 640 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L0805C2R2MDWIT hat einen DC-Widerstand von 330mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L0805C2R2MDWIT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 640 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 330mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 640MA 330 MOHM |
| Serie | L-DWI |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 70MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 (2012 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
