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L0806B100JSWST

L0806B100JSWST

KEMET

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 215MA 1.2 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
215 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L0806B100JSWST.

Induktivität
10 µH

L0806B100JSWST hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
215 mA

L0806B100JSWST ist für 215 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.2Ohm

L0806B100JSWST hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

L0806B100JSWST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±5%
Nennstrom215 mA
DC-Widerstand (DCR)1.2Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 10UH 215MA 1.2 OHM SMD
SerieL-SWS
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz27MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806 (2016 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.071" (1.80mm)
Merkmale-

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