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CTLVH2012F-100M

CTLVH2012F-100M

Central Technologies

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 730MA 600 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
730 mA
DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max
Abmessungen
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLVH2012F-100M.

Induktivität
10 µH

CTLVH2012F-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
730 mA

CTLVH2012F-100M ist für 730 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max

CTLVH2012F-100M hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

CTLVH2012F-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom730 mA
DC-Widerstand (DCR)600mOhm Max
Sättigungsstrom950mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 730MA 600 MOHM
SerieCTLVH2012F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz16MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0806
Höhe - sitzend (max.)0.047 (1.20mm)
Merkmale-

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