
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil L8040C2R0NDWDT von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2 µH, Nennstrom 6.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für L8040C2R0NDWDT.
L8040C2R0NDWDT hat eine Induktivität von 2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
L8040C2R0NDWDT ist für 6.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
L8040C2R0NDWDT hat einen DC-Widerstand von 9mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
L8040C2R0NDWDT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 6.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 9mOhm |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 120°C |
| Abmessungen | 0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 2UH 6.3A 9 MOHM SMD |
| Serie | L-DWD |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 50MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 8040 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.165" (4.20mm) |






