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LLXBD3030QKT3R3M

LLXBD3030QKT3R3M

Taiyo Yuden

1212 (3030 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 1.23A 80 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
1.23 A
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LLXBD3030QKT3R3M.

Induktivität
3.3 µH

LLXBD3030QKT3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.23 A

LLXBD3030QKT3R3M ist für 1.23 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm

LLXBD3030QKT3R3M hat einen DC-Widerstand von 80mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1212 (3030 Metric)

LLXBD3030QKT3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1212 (3030 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.23 A
DC-Widerstand (DCR)80mOhm
Sättigungsstrom1.21A
Betriebstemperatur-25°C ~ 120°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / Größe1212 (3030 Metric)
Gehäuse / Ausführung1212 (3030 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 1.23A 80 MOHM
SerieLLXB
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz49MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1212
Höhe - sitzend (max.)0.059" (1.50mm)
Merkmale-

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