Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LMXN2216M2R2BTAS von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 6mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LMXN2216M2R2BTAS.
LMXN2216M2R2BTAS hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LMXN2216M2R2BTAS hat einen DC-Widerstand von 6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LMXN2216M2R2BTAS verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von LMXN2216M2R2BTAS weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| DC-Widerstand (DCR) | 6mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 20A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.880 L x 0.640 W (22.35mm x 16.26mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KYOCERA AVX |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 6 MOHM SMD |
| Serie | LMXN |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.315 (8.00mm) |
