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LMXN2216M2R2BTAS

LMXN2216M2R2BTAS

KYOCERA AVX

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 6 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
6mOhm Max
Abmessungen
0.880 L x 0.640 W (22.35mm x 16.26mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LMXN2216M2R2BTAS.

Induktivität
2.2 µH

LMXN2216M2R2BTAS hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

LMXN2216M2R2BTAS ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
6mOhm Max

LMXN2216M2R2BTAS hat einen DC-Widerstand von 6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

LMXN2216M2R2BTAS verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)6mOhm Max
Sättigungsstrom20A
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.880 L x 0.640 W (22.35mm x 16.26mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 6 MOHM SMD
SerieLMXN
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.315 (8.00mm)
Merkmale-

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