Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil LSANB2016KKT1R0M von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 75mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSANB2016KKT1R0M.
LSANB2016KKT1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
LSANB2016KKT1R0M ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
LSANB2016KKT1R0M hat einen DC-Widerstand von 75mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
LSANB2016KKT1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 75mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0806 (2016 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0806 (2016 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 2.2A 75 MOHM SMD |
| Serie | LSAN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0806 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
