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LSBHB2012KKTR68N

LSBHB2012KKTR68N

Taiyo Yuden

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 680NH 1.5A 90 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
1.5 A
DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSBHB2012KKTR68N.

Induktivität
680 nH

LSBHB2012KKTR68N hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.5 A

LSBHB2012KKTR68N ist für 1.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
90mOhm Max

LSBHB2012KKTR68N hat einen DC-Widerstand von 90mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

LSBHB2012KKTR68N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±30%
Nennstrom1.5 A
DC-Widerstand (DCR)90mOhm Max
Sättigungsstrom1.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 680NH 1.5A 90 MOHM SMD
SerieLSBH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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