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MGTC0805CR68_ST

MGTC0805CR68_ST

Microgate Technology

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC0805CR68_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 nH, Nennstrom 190 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.2Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
190 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.2Ohm Max
Abmessungen
0.081 L x 0.053 W (2.08mm x 1.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC0805CR68_ST.

Induktivität
680 nH

MGTC0805CR68_ST hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
190 mA

MGTC0805CR68_ST ist für 190 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.2Ohm Max

MGTC0805CR68_ST hat einen DC-Widerstand von 2.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MGTC0805CR68_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität680 nH
Nennstrom190 mA
DC-Widerstand (DCR)2.2Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.081 L x 0.053 W (2.08mm x 1.35mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 680 NH 190 MA 2.2 OHM
SerieMGTC0805C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz310MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.052 (1.31mm)

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