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LSQBA201212T220M

LSQBA201212T220M

Taiyo Yuden

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 22UH 80MA 1.7 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
80 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.7Ohm
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSQBA201212T220M.

Induktivität
22 µH

LSQBA201212T220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA

LSQBA201212T220M ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.7Ohm

LSQBA201212T220M hat einen DC-Widerstand von 1.7Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

LSQBA201212T220M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom80 mA
DC-Widerstand (DCR)1.7Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 22UH 80MA 1.7 OHM SMD
SerieLSQB
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz16MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.057" (1.45mm)
Merkmale-

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