Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0805HW220KST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 340 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.76Ohm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0805HW220KST.
MTF0805HW220KST hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0805HW220KST ist für 340 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0805HW220KST hat einen DC-Widerstand von 1.76Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0805HW220KST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 22 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 340 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.76Ohm |
| Sättigungsstrom | 340mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.087 L x 0.067 W (2.20mm x 1.70mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 22000 NH 340 MA 1.76 O |
| Serie | MTF0805HW |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 20MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.5 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
