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LSQPA322525T680KR

LSQPA322525T680KR

Taiyo Yuden

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 68UH 410MA 1.3 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
68 µH
Nennstrom
410 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für LSQPA322525T680KR.

Induktivität
68 µH

LSQPA322525T680KR hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
410 mA

LSQPA322525T680KR ist für 410 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max

LSQPA322525T680KR hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

LSQPA322525T680KR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität68 µH
Toleranz±10%
Nennstrom410 mA
DC-Widerstand (DCR)1.3Ohm Max
Sättigungsstrom320mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 68UH 410MA 1.3 OHM SMD
SerieLSQP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz8MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106" (2.70mm)
Merkmale-

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