Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MCQ1V3216-R820-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 600mOhm Max, Gehäusegröße 1206 (3216 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MCQ1V3216-R820-R.
MCQ1V3216-R820-R hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MCQ1V3216-R820-R ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MCQ1V3216-R820-R hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MCQ1V3216-R820-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 150 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 600mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 1206 (3216 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1206 (3216 Metric) |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 150MA 600 MOHM |
| Serie | MCQ1V3216 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 100MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1206 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.043" (1.10mm) |
