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IC1206B821R-10

IC1206B821R-10

Laird

1206 (3216 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 820NH 150MA 900 MOHM

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IC1206B821R-10.

Induktivität
820 nH

IC1206B821R-10 hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

IC1206B821R-10 ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
900mOhm Max

IC1206B821R-10 hat einen DC-Widerstand von 900mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1206 (3216 Metric)

IC1206B821R-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1206 (3216 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±10%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)900mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe1206 (3216 Metric)
Gehäuse / Ausführung1206 (3216 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 820NH 150MA 900 MOHM
SerieIC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.055 (1.40mm)
Merkmale-

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