Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTDO3316PF-333 von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 µH, Nennstrom 2.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTDO3316PF-333.
CTDO3316PF-333 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTDO3316PF-333 ist für 2.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTDO3316PF-333 hat einen DC-Widerstand von 100mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTDO3316PF-333 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 33 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mOhm |
| Sättigungsstrom | 2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.510 L x 0.370 W (12.95mm x 9.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 33UH 2.1A 100 MOHM SMD |
| Serie | CTDO3316F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 15MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.205 (5.20mm) |
