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MGTC1210C100_ST

MGTC1210C100_ST

Microgate Technology

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGTC1210C100_ST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 10Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
10Ohm Max
Abmessungen
0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGTC1210C100_ST.

Induktivität
10 µH

MGTC1210C100_ST hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

MGTC1210C100_ST ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10Ohm Max

MGTC1210C100_ST hat einen DC-Widerstand von 10Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

MGTC1210C100_ST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität10 µH
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)10Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.143 L x 0.116 W (3.65mm x 2.95mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 10000 NH 150 MA 10 OHM
SerieMGTC1210C
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz30MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.106 (2.70mm)

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