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CTMC1210SF-100J

CTMC1210SF-100J

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 150MA 2.1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.1Ohm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTMC1210SF-100J.

Induktivität
10 µH

CTMC1210SF-100J hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

CTMC1210SF-100J ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.1Ohm Max

CTMC1210SF-100J hat einen DC-Widerstand von 2.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTMC1210SF-100J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±5%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)2.1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 150MA 2.1 OHM SMD
SerieCTMC1210SF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz30MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.094 (2.40mm)
Merkmale-

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