Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGV04122R2M-10 von Laird. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 2.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 80mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV04122R2M-10.
MGV04122R2M-10 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGV04122R2M-10 ist für 2.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGV04122R2M-10 hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGV04122R2M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 80mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3.5A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.175 L x 0.160 W (4.45mm x 4.06mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 2.8A 80 MOHM SMD |
| Serie | MGV |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047 (1.20mm) |
