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MGV10041R0M-10

MGV10041R0M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 17.5A 4.1 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
17.5 A
DC-Widerstand (DCR)
4.1mOhm Max
Abmessungen
0.433 L x 0.394 W (11.00mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV10041R0M-10.

Induktivität
1 µH

MGV10041R0M-10 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
17.5 A

MGV10041R0M-10 ist für 17.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.1mOhm Max

MGV10041R0M-10 hat einen DC-Widerstand von 4.1mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MGV10041R0M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom17.5 A
DC-Widerstand (DCR)4.1mOhm Max
Sättigungsstrom36A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.433 L x 0.394 W (11.00mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1UH 17.5A 4.1 MOHM SMD
SerieMGV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.169 (4.30mm)
Merkmale-

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