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MGV12034R7M-10

MGV12034R7M-10

Laird

Nonstandard, 2 Lead
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 10A 16 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
10 A
DC-Widerstand (DCR)
16mOhm Max
Abmessungen
0.531 L x 0.496 W (13.50mm x 12.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV12034R7M-10.

Induktivität
4.7 µH

MGV12034R7M-10 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
10 A

MGV12034R7M-10 ist für 10 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
16mOhm Max

MGV12034R7M-10 hat einen DC-Widerstand von 16mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard, 2 Lead

MGV12034R7M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 2 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom10 A
DC-Widerstand (DCR)16mOhm Max
Sättigungsstrom24A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.531 L x 0.496 W (13.50mm x 12.60mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard, 2 Lead
Gehäuse / AusführungNonstandard, 2 Lead
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 10A 16 MOHM SMD
SerieMGV
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.150 (3.80mm)
Merkmale-

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