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ERU33M-4R6L

ERU33M-4R6L

TDK

Nonstandard, 2 Lead
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Beschreibung

FIXED IND 4.6UH 58A 0.85 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.6 µH
Nennstrom
58 A
DC-Widerstand (DCR)
0.85mOhm
Abmessungen
1.299" L x 1.142" W (33.00mm x 29.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ERU33M-4R6L.

Induktivität
4.6 µH

ERU33M-4R6L hat eine Induktivität von 4.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
58 A

ERU33M-4R6L ist für 58 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.85mOhm

ERU33M-4R6L hat einen DC-Widerstand von 0.85mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard, 2 Lead

ERU33M-4R6L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 2 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität4.6 µH
Toleranz±15%
Nennstrom58 A
DC-Widerstand (DCR)0.85mOhm
Sättigungsstrom75A
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
Abmessungen1.299" L x 1.142" W (33.00mm x 29.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard, 2 Lead
Gehäuse / AusführungNonstandard, 2 Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 4.6UH 58A 0.85 MOHM
SerieERU33M
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.622" (15.80mm)
Merkmale-

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