Beschreibung
FIXED IND 4.3NH 800MA 100 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MHQ1005P4N3BTD25.
MHQ1005P4N3BTD25 hat eine Induktivität von 4.3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MHQ1005P4N3BTD25 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MHQ1005P4N3BTD25 hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MHQ1005P4N3BTD25 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.3 nH |
| Toleranz | ±0.1nH |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 4.3NH 800MA 100 MOHM |
| Serie | MHQ-P |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic, Non-Magnetic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 23 @ 250MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 5GHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 (1005 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.024" (0.60mm) |
