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MHQ1005P5N1BTD25

MHQ1005P5N1BTD25

TDK

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 5.1NH 800MA 120 MOHM

Technische Daten

Induktivität
5.1 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
120mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MHQ1005P5N1BTD25.

Induktivität
5.1 nH

MHQ1005P5N1BTD25 hat eine Induktivität von 5.1 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

MHQ1005P5N1BTD25 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
120mOhm Max

MHQ1005P5N1BTD25 hat einen DC-Widerstand von 120mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MHQ1005P5N1BTD25 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität5.1 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)120mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 5.1NH 800MA 120 MOHM
SerieMHQ-P
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialCeramic, Non-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz4.5GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.60mm)

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