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MLRF10M150K

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 150NH 1.2A 100 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M150K.

Induktivität
150 nH

MLRF10M150K hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

MLRF10M150K ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

MLRF10M150K hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

MLRF10M150K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 150NH 1.2A 100 MOHM TH
SerieMLRF10M
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz38 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz600MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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