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CTM1F-R15K

CTM1F-R15K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 150NH 1.2A 100 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTM1F-R15K.

Induktivität
150 nH

CTM1F-R15K hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

CTM1F-R15K ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

CTM1F-R15K hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTM1F-R15K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.095 Dia x 0.250 L (2.41mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 150NH 1.2A 100 MOHM TH
SerieCTM1F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz38 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz600MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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