Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF10M181K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Nennstrom 455 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M181K.
MLRF10M181K hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF10M181K ist für 455 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF10M181K hat einen DC-Widerstand von 300mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF10M181K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 455 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 300mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 1.8UH 455MA 300 MOHM |
| Serie | MLRF10M |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 125MHz |
| Montageart | Axial |
| Hersteller-Gehäuse | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
| Höhe - sitzend (max.) | 7.9 MHz |
| Merkmale | Through Hole |
