Beschreibung
FIXED IND 820NH 415MA 850 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M820K.
MLRF10M820K hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF10M820K ist für 415 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF10M820K hat einen DC-Widerstand von 850mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF10M820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 415 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 850mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 415MA 850 MOHM |
| Serie | MLRF10M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | - |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 28 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 250MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
| Höhe - sitzend (max.) | - |
| Merkmale | - |
