Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF17S820K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 370 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 590mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF17S820K.
MLRF17S820K hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF17S820K ist für 370 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF17S820K hat einen DC-Widerstand von 590mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF17S820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 370 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 590mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 370MA 590 MOHM |
| Serie | MLRF17S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 180MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
