Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPCH1055L1R3 von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.3 µH, Nennstrom 18.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.3mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPCH1055L1R3.
MPCH1055L1R3 hat eine Induktivität von 1.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MPCH1055L1R3 ist für 18.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MPCH1055L1R3 hat einen DC-Widerstand von 2.3mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MPCH1055L1R3 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 18.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.3mOhm |
| Sättigungsstrom | 17A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.461" L x 0.394" W (11.70mm x 10.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 1.3UH 18.5A 2.3 MOHM |
| Serie | MPCH |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Metal Composite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.217" (5.50mm) |
