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MGV05121R2M-10

MGV05121R2M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1.2UH 4.5A 40 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
4.5 A
DC-Widerstand (DCR)
40mOhm Max
Abmessungen
0.224 L x 0.205 W (5.70mm x 5.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV05121R2M-10.

Induktivität
1.2 µH

MGV05121R2M-10 hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.5 A

MGV05121R2M-10 ist für 4.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
40mOhm Max

MGV05121R2M-10 hat einen DC-Widerstand von 40mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MGV05121R2M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.5 A
DC-Widerstand (DCR)40mOhm Max
Sättigungsstrom5.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.224 L x 0.205 W (5.70mm x 5.20mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 4.5A 40 MOHM SMD
SerieMGV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047 (1.20mm)
Merkmale-

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