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MPH201206S1R0MT

MPH201206S1R0MT

Sunlord

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 800MA 238 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
238mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPH201206S1R0MT.

Induktivität
1 µH

MPH201206S1R0MT hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

MPH201206S1R0MT ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
238mOhm Max

MPH201206S1R0MT hat einen DC-Widerstand von 238mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MPH201206S1R0MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)238mOhm Max
Sättigungsstrom600mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 1UH 800MA 238 MOHM SMD
SerieMPH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz40MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.60mm)
Merkmale-

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