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MPIT252010-100M-LF

Microgate Technology

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT252010-100M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 μH. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 μH
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT252010-100M-LF.

Induktivität
10 μH

MPIT252010-100M-LF hat eine Induktivität von 10 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.9.2026
Induktivität10 μH
Toleranz±20%
Betriebstemperatur-40℃ to +125℃
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
SerieMPIT252010
KernmaterialNi-Zn Ferrite
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

Vorschau