Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MPIT252010-2R2M-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 μH. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Induktivität
2.2 μH
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPIT252010-2R2M-LF.
Induktivität
2.2 μH
MPIT252010-2R2M-LF hat eine Induktivität von 2.2 μH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 μH |
| Toleranz | ±20% |
| Betriebstemperatur | -40℃ to +125℃ |
| Abmessungen | 0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm) |
| Serie | MPIT252010 |
| Kernmaterial | Ni-Zn Ferrite |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039 (1.00mm) |