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MPL-AT2010-1R0

MPL-AT2010-1R0

Monolithic Power Systems Inc.

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 3.2A 50 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
3.2 A
DC-Widerstand (DCR)
50mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPL-AT2010-1R0.

Induktivität
1 µH

MPL-AT2010-1R0 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.2 A

MPL-AT2010-1R0 ist für 3.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
50mOhm

MPL-AT2010-1R0 hat einen DC-Widerstand von 50mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

MPL-AT2010-1R0 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 12.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz-
Nennstrom3.2 A
DC-Widerstand (DCR)50mOhm
Sättigungsstrom4.2A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantMonolithic Power Systems Inc.
BeschreibungFIXED IND 1UH 3.2A 50 MOHM SMD
SerieMPL-AT
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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