Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0805HW100KST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 560 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 850mOhm, Gehäusegröße 0805 (2015 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0805HW100KST.
MTF0805HW100KST hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0805HW100KST ist für 560 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0805HW100KST hat einen DC-Widerstand von 850mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0805HW100KST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2015 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 560 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 850mOhm |
| Sättigungsstrom | 560mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.106 L x 0.087 W (2.70mm x 2.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2015 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2015 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 10000 NH 560 MA 0.85 O |
| Serie | MTF0805HW |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 31MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
