Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0805HW2R2KST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 22mOhm, Gehäusegröße 0805 (2015 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0805HW2R2KST.
MTF0805HW2R2KST hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0805HW2R2KST ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0805HW2R2KST hat einen DC-Widerstand von 22mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0805HW2R2KST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2015 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 22mOhm |
| Sättigungsstrom | 1.04A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.087 L x 0.067 W (2.20mm x 1.70mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2015 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2015 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 2200 NH 1040 MA 0.22 O |
| Serie | MTF0805HW |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 87MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.051 (1.30mm) |
